台大研發「零缺陷」半導體材料成果發表

台大今早公佈跨國研究團隊近期在「科學」《Science》發表的一項重大成果，「研發獨步全球零缺陷半導體材料，提升LED 發光效能100倍。」台大表示，研究發現半導體「修復缺陷」的簡單方法，讓單層二維半導體材料達到「零缺陷」的等級，將可提升LED發光效能100倍。半導體材料越薄，對電子、光電元件的效能越有影響，這種原子等級厚度的零缺陷材料可說是前所未聞，震撼科學界。

此一跨國研究團隊是由加州大學柏克萊分校教授Ali Javey、阿卜杜拉國王科技大學（KAUST）教授何志浩，台大教授李嗣涔共同組成，特別是此研究的共同第一作者連德軒同學今年剛完成博士口試，將於這學期畢業，目前已在加州柏克萊大學執行科技部第二年的龍門計畫。

(圖/取自網路)

台大跨國研究團隊表示，二維半導體材料具特殊的電子傳導、光學、機械特性，被視為有潛力取代傳統矽材元件，而「MoS2（二硫化鉬）」是最熱門的半導體二維材料之一，但單層的MoS2厚度，比人類DNA鏈的直徑更小，其缺陷也成為應用於電子或光電元件上最大的瓶頸。

將二維材料浸於有機超強酸中，可讓單層薄膜達到「零缺陷」，若將MoS2浸在「亞胺」的有機超強酸中，可提高二維材料的量子效率，從不到1%增至近100%，未來可應用在開發透明的LED顯示器、超高效太陽能電池、高靈敏度的光偵測器、與低功耗的奈米級電晶體，讓MoS2有機會取代矽材元件，為電晶體帶來革命性改變。

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